本報訊 （記者曹琦）據江西聯創超導技術有限公司（以下簡稱“聯創超導”）官微消息，近日公司“高溫超導磁控硅單晶生長裝備、技術及應用科技成果鑒定會”順利召開。由中國科學院院士甘子釗領銜的專家委員會對項目展開全面評估，并一致認為該技術填補了我國在高端硅晶體制造領域的多項空白，綜合性能達到國際領先水平。

    針對高品質大尺寸硅單晶生長技術瓶頸，高溫超導磁控硅單晶生長裝備、技術及應用首次將高溫超導磁體技術應用于磁控直拉單晶生長，研制出高溫超導磁控硅單晶生長裝備，形成了大尺寸硅單晶長棒快速、高穩定性、低含氧量的生長工藝，實現了大尺寸（12吋以上）高品質硅單晶的生產，經濟和社會效益十分顯著。高溫超導磁控硅單晶生長裝備可將硅片含氧量穩定控制在5ppma以下，硅棒頭尾利用率提升4%以上，生產效率提升12%，目前已拉出直徑達340mm的高品質硅棒。

    甘子釗院士在會議中指出：“這是國際上首次將高溫超導技術應用于磁控直拉單晶生長，為高溫超導技術產業化做了很多開創性的工作，開辟了超導技術產業化新賽道。”他特別提到，該技術對實現“雙碳”目標具有戰略意義。專家委員會認為該項目解決了磁控條件下大尺寸硅單晶生長爐高溫度均勻性節能型熱場設計、模塊化大尺寸傳導冷卻高溫超導磁體設計、電﹣磁﹣熱﹣流體多場耦合下硅單晶生長分析與控制等關鍵技術難題，取得了多項創新性技術成果，研制出的高溫超導磁控硅單晶生長裝備在生產實踐中得到了應用，表明該項目總體技術水平已達國際領先。

（編輯 張偉）