本報見習記者 李昱丞

    7月9日，英唐智控發布公告稱，與Hulu MT.PEAK LLC（Hulu半導體綜合投資公司，下稱“HuLu”）簽訂為期三年的合作協議，希望在中國境內合作建設6英寸SiC器件生產線，并利用各自資源面向全球推廣合作產線的產品。

    根據公告，雙方合作方案由Hulu提供產線建設、產品需求及工藝方面的支持，英唐智控提供資金、市場、技術以及項目人才方面的支持。協議還明確提出了英唐智控對HuLu進行戰略投資的可能性，英唐智控將依托前期在模擬及功率器件的研發、制造產業布局，通過與Hulu的緊密合作，加速其在第三代半導體領域的產能規劃實現。

    據了解，SiC（碳化硅）是第三代半導體材料，擁有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率、高電子遷移率以及抗輻射等特性，更適合在高頻、高溫、高壓、高功率以及耐輻射的環境中工作。在功率等級相同的條件下，SiC器件體積更小，功率密度更高、設計更緊湊，能使電動車續航里程更長。受益于SiC功率器件在技術方面的逐漸成熟，智能化、電氣化趨勢持續演進，下游傳統汽車升級帶來龐大的功率半導體需求，SiC功率器件替代空間較為廣闊。

    據行業人士分析，英唐與Hulu的合作達成，正是英唐智控為加速其第三代半導體產能布局做出的又一舉措。通過引進Hulu在產線建設、設備、工藝技術方面的優質資源，英唐智控有望進一步增厚其在人才、工藝及技術方面的儲備，有望促進打造自主可控的第三代半導體全產業鏈條。

（編輯 崔漫）